Части графита гибкости Semiconductive отсутствие полости масла

Части графита полупроводника

• Принцип деятельности

Implanter иона один из высоконапорных небольших акселераторов с самым большим числом применений. Оно получает необходимые ионы от источника иона, и получает луч иона с энергией нескольк 100 киловольт после ускорения. Оно использован для вживления иона материалов полупроводника, широкомасштабных интегральных схема и приборов. Оно также использован для модификации поверхности и производства материалов металла. Фильм etc.

• Подача обработки

• Чистка: Ультразвуковая чистка на 10 минут. Используйте чистую воду, резистивность ≥2MΩ-cm.
• Засыхание: Отсутствие полости масла, 2 часов, температуры ≥200℃
• Упаковка: никакие голые руки, алкоголь изопропила ранга полупроводника не обтирают, чистые инструменты ранга, отдельный HDPE и фильм упаковывая, жара пузыря вакуума - сумка запечатывания, пластиковое рифленое - основание доски
• Ярлыки: ярлыки печатания чистой комнаты, двухслойные ярлыки для внутренней и наружной упаковки, бумаги ярлыка полупроводник-степени свободной от пыл

• Применение

Ион имплантировал части графита одно из применений полупроводника. Графит тонкозернистых и высокой плотности показывает сильную коррозионную устойчивость под весьма жесткими условиями труда (как бомбардировка луча иона или луч плазмы) и может быть использован как экран. Подобный Eaton, Axcelis, Quatum, Varian, Nissin, AMAT, БЕГСТВУ и другому оборудованию.

В индустрии полупроводника, высокочистый графит главным образом существует как система отопления, крышка изоляции, электрод, etc. польза высокочистого графита для этих частей также делает полную пользу сопротивления высокочистого графита высокотемпературного. Преимущества высокочистого графита, как коррозионная устойчивость, сопротивление оксидации, и электрическая и термальная проводимость, были приложены к индустрии полупроводника, которая делает работы части жизнь более длиной, болееуменьшая и энергосберегающую. Наша компания использует немецкие материалы графита ранга полупроводника точно для того чтобы изготовить потребляемые вещества графита для вживления иона, обеспечивая стандартные части и подгонянные спецификации.
Высокочистый графит можно использовать как низкий материал атомного номера согласно характеристикам формы и мелких частиц. Он имеет сильное сопротивление бомбардировкой к ионам и плазма, сильная коррозионная устойчивость, особая чистота, никакие ионы металла, никакое загрязнение к полупроводникам, и части металла, который подвергли действию в оборудование вживления иона причинят высокую потерю, поэтому использует соответствуя часть графита как защищая крышка. Части для susceptor vcd плазмы cvd плазмы, камеры электрода, сопла, подкладки, брызгая электрод, susceptor movcd, etc.

• Преимущество

Хорошее качество, подгонянный заказ, быстрая доставка